Redação do Site Inovação Tecnológica - 06/07/2012
O pulso elétrico disparado pela ponta de um microscópio de tunelamento altera a molécula entre diferentes estados de magnetização e condutância.[Imagem: CFN/KIT]
Spintrônica molecular
Um bit de informação digital gravado em um disco rígido moderna é formado por cerca de 3 milhões de átomos magnéticos.
Mas dá para fazer o mesmo trabalho com muito menos - mais especificamente, com 51 átomos.
Na verdade, todo o trabalho é feito com um único átomo de ferro, com os outros 50 átomos compondo um escudo protetor contra alterações indesejadas no valor do bit.
Foi isto o que demonstraram pesquisadores da Universidade de Chiba (Japão) e do Instituto de Tecnológica Karlsruhe (Alemanha), em um trabalho que conjuga eletrônica molecular e spintrônica.
Proteção orgânica
Toshio Miyamachi e seus colegas construíram uma memória magnética que utiliza uma única molécula para guardar um bit - uma molécula chamada Fe-phen, uma abreviatura de Fe(1,10-phenanthroline)2(NCS)2.
Esta molécula, um complexo metal-orgânico, apresenta um fenômeno chamado spin-crossover, a capacidade de alterar o spin por um estímulo externo, neste caso por um estímulo elétrico.
Usando um pulso elétrico, a molécula pode alternar entre um estado magnético e condutor para um estado não-magnético e de baixa condução - uma posição representa o "0" e a outra representa o "1" binários.
O uso de uma molécula única elimina o entrave do chamado efeito superparamagnético, que vem impedindo a diminuição dos bits dos discos rígidos - o efeito superparamagnético resulta na maior suscetibilidade dos cristais magnéticos a influências termais, à medida que esses cristais diminuem de tamanho.
"Nós usamos uma outra abordagem, e colocamos um único átomo magnético de ferro no centro de uma molécula orgânica constituída de 51 átomos. A camada orgânica protege a informação guardada no átomo central," explica o Dr. Miyamachi.
O coração da molécula é um único átomo de ferro, que fica protegido das "intempéries" por uma camada orgânica. [Imagem: Miyamachi et al./Nat. Commun.]
Spintrônica e memresistor
Além de alcançar o limite definitivo de um bit por molécula, esse tipo de memória spintrônica também tem a vantagem de usar um processo de escrita puramente elétrico.
Mas há ainda uma vantagem maior.
Ao ser chaveada pelo pulso elétrico, a molécula Fe-phen apresenta uma larga gama de diferentes condutâncias ao longo de cada uma das configurações magnéticas.
Ou seja, ela apresenta um comportamento memresistivo - o comportamento de ummemristor, o quarto componente eletrônico fundamental, que promete nada menos do que computadores capazes de aprender.
"Essas propriedades memresistivas e spintrônicas combinadas em uma única molécula vão abrir um campo totalmente novo de pesquisas," prevê o Dr. Miyamachi.
Bibliografia:
Robust spin crossover and memristance across a single molecule
Toshio Miyamachi, Manuel Gruber, Vincent Davesne, Martin Bowen, Samy Boukari, Loïc Joly, Fabrice Scheurer, Guillaume Rogez, Toyo Kazu Yamada, Philippe Ohresser, Eric Beaurepaire, Wulf Wulfhekel
Nature Communications
Vol.: 3, Article number: 938
DOI: 10.1038/ncomms1940
Fonte: Inovação Tecnológica
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