terça-feira, 12 de fevereiro de 2013

Células solares ultrafinas poderão custar 90% menos


Redação do Site Inovação Tecnológica - 11/02/2013

Células solares ultrafinas poderão custar 90% menos
Os dois pesquisadores afirmam esperar que sua invenção chegue aos painéis solares nos próximos cinco anos, reduzindo seu preço a uma fração dos atuais. [Imagem: Yngve Vogt]
Silício ultrapuro
Pesquisadores noruegueses fabricaram um painel solar 20 vezes mais fino do que o tradicional, e com potencial para custar muito mais barato.
A dica é usar microgotas para fabricar estruturas na parte de trás das células solares.
Mais de 90% da eletricidade gerada por painéis solares usa células feitas de silício, que possuem cerca de 0,2 milímetro de espessura.
Pode parecer pouco, mas isso consome muito silício - cerca de 5 gramas por watt de eletricidade gerada.
O silício é um dos elementos mais abundantes na crosta terrestre. Mas, para fabricar células solares, é necessário ter um silício 99,9999% puro - e fazer isso custa caro, o que explica o alto custo dessas células solares.
Aasmund Sudbo e Erik Marstein, da Universidade e Oslo, descobriram uma forma de consumir menos desse silício ultrapuro e, portanto, baixar o preço dos painéis solares.
Espessura das células solares
"Quanto mais finas forem as células solares, mais fácil será extrair a energia elétrica. Em princípio, teremos uma tensão maior e mais corrente em células solares mais finas," explica Marstein.
"Nós estamos desenvolvendo células solares que são pelo menos tão eficientes quanto as atuais, mas que podem ser fabricadas com apenas um vigésimo do silício. Isto significa que o consumo de silício poderá ser reduzido em 95%," esclarece ele.
O grande problema em afinar as células solares é que uma porção muito maior da luz do Sol vai passar direto, sem gerar eletricidade.
Os dois pesquisadores então inventaram uma forma de ludibriar a luz e fazê-la ficar mais tempo em sua célula solar ultrafina.
Células solares ultrafinas poderão custar 90% menos
Ao lado de cada esfera, são feitas microrrecortes assimétricos, criando um padrão repetitivo que, segundo os pesquisadores, "faz a luz andar de lado". [Imagem: UIO/Apollon]
Luz que anda de lado
A técnica consiste em fabricar superfícies nanoestruturadas na parte posterior da célula, para domar a luz que atravessou o silício sem produzir corrente.
"Nós aumentamos a espessura aparente da célula em 25 vezes forçando a luz a ir para cima e para baixo o tempo todo," explicou o pesquisador.
Eles estão usando um material conhecido como microgotas de Uglestad, esferas plásticas muito pequenas, todas do mesmo tamanho, que criam um efeito descoberto pelo também norueguês John Ugelstad no século passado.
Ao lado de cada esfera, são feitas microrrecortes assimétricos, criando um padrão repetitivo que, segundo os pesquisadores, "faz a luz andar de lado", mantendo-a mais tempo na célula solar.
"Nós estamos agora estudando se este e outros métodos podem ser adaptados para produção em escala industrial. Temos muita fé nisso, e já estamos em discussões com vários parceiros industriais, mas ainda não podemos dar maiores detalhes," disse o Dr. Aasmund.

terça-feira, 5 de fevereiro de 2013

Tela holográfica chega às 12 polegadas de autêntico 3D


Redação do Site Inovação Tecnológica - 05/02/2013

Tela holográfica 3D projeta imagens de 12 polegadas
Embora ainda longe da resolução desejada, as imagens holográficas já são significativamente superiores às imagens geradas pelas primeiras TVs que chegaram ao mercado - que eram preto e branco.[Imagem: Xuewu Xu]
Resolução dos hologramas
Em 2010, cientistas de Cingapura apresentaram um algoritmo que permitiu pela primeira vez calcular rapidamente todas as informações necessárias para gerar um holograma.
Os resultados demonstraram que a renderização do holograma por computadores comuns pode se viável.
Agora, a equipe do Dr. Xuewu Xu deu um passo adicional, aumentando a resolução dos hologramas de forma a gerar imagens coloridas com detalhes razoavelmente bem definidos.
Pixels no espaço 3D
Enquanto aumentar a resolução das imagens em uma tela comum é uma questão de aumentar o número de pixels por área, na holografia é necessário um esforço adicional - a colocação dos pixels o mais próximo possível uns dos outros no espaço 3D.
No protótipo demonstrado em 2010, os pesquisadores projetaram imagens de 1,3 megapixel, usando pixels de 13,62 micrômetros.
Agora, eles já conseguem projetar hologramas 3D em cores com uma resolução de 189 x 378 megapixels, o que se traduz em imagens com uma área de 12,5 x 25 centímetros.
A área da imagem é o equivalente a uma tela plana de 12 polegadas, com a diferença de que a imagem pode ser vista de qualquer ângulo.
Moduladores espaciais de luz
O feito foi possível graças à utilização de moduladores espaciais de luz (SLM -spatial light modulator) integrados em um chip de silício.
Os 24 SLMs manipulam a luz de dois conjuntos de lasers RGB - cada conjunto possui um laser vermelho, um verde e um azul - usando cristais líquidos ferroelétricos.
As imagens são atualizadas a uma frequência de 60 Hz, evitando as piscadas típicas dos primeiros experimentos em holografia.
Desafios para a holografia
Apesar dos avanços, ainda há um longo caminho para que as telas holográficas cheguem ao mercado.
Enquanto o protótipo agora demonstrado produz imagens na faixa dos megapixels, o Dr. Xuewu Xu afirma que uma tela holográfica viável, com cerca de 20 polegadas, exigirá dezenas de terapixels, já que devem haver pixels para todo o espaço 3D da imagem.
A boa notícia é que ele não vê obstáculos à miniaturização do seu sistema de moduladores ópticos, o que deverá permitir ampliar continuamente a quantidade de pixels gerados.
"Outros obstáculos, como a largura de banda para transmissão de dados, a capacidade de armazenamento de dados e a velocidade de processamentos dos hologramas também precisarão ser superados para chegarmos à comercialização da tecnologia de telas holográficas 3D. Nosso trabalho futuro vai incluir a tentativa de solucionar alguns desses gargalos tecnológicos," explicou o pesquisador.

domingo, 16 de dezembro de 2012

Processadores poderão alcançar velocidades PHz (petahertz)


Redação do Site Inovação Tecnológica - 14/12/2012

Processadores poderão alcançar velocidades de petahertz (PHz)
"O material torna-se condutor tão logo um elevado pulso de luz é aplicada a ele, só que os dielétricos são 10.000 vezes mais rápidos do que os semicondutores."[Imagem: Thorsten Naeser/LMU]
Transistores de luz
Transistores controlados pela luz poderão atingir velocidades 10.000 vezes mais elevadas do que aqueles que compõem os atuaisprocessadores de computador.
A grande novidade, porém, é que esses transistores não serão feitos de materiais semicondutores, mas de materiais isolantes, ou dielétricos.
Enquanto os processadores mais modernos funcionam a cerca de 3 GHz, um transistor isolado pode atingir 100 GHz.
Pesquisadores do Instituto Max Planck, na Alemanha, demonstraram agora que é possível atingir uma velocidade 10.000 vezes superior, saltando o tera e indo direto para os PHz, ou petahertz (1015 Hz).
Transístor dielétrico
Os pesquisadores demonstraram que é possível induzir correntes elétricas em materiais normalmente isolantes, e que essas correntes podem ser revertidas em 1 femtossegundo (10-15 segundo).
Isso abre o caminho para a construção de transistores cujos ciclos se deem nessa mesma escala temporal, o que resultará em velocidades na faixa dos petahertz.
"Agora podemos fundamentalmente ter um dispositivo que funciona 10 mil vezes mais rápido do que um transistor que pode rodar a 100 gigahertz," disse o professor Mark Stockman, membro da equipe.
"Este é um efeito de campo, do mesmo tipo que controla um transistor. O material torna-se condutor tão logo um elevado pulso de luz é aplicada a ele, só que os dielétricos são 10.000 vezes mais rápidos do que os semicondutores," completou.
Metais, semicondutores e isolantes
Tudo ocorre em um material tipicamente isolante.
Do ponto de vista de suas propriedades elétricas, os materiais podem ser divididos em três grupos.
Os metais têm portadoras de cargas - isto é, elétrons - livres em quaisquer circunstâncias, o que significa que eles são condutores elétricos mesmo para correntes muito baixas.
Já os semicondutores são mais ranzinzas, e só transmitem eletricidade depois de receberem um empurrão inicial, que vença a sua bandgap, a diferença de energia entre a banda de condução e a banda de valência.
É isto que permite que os semicondutores operem bem como transistores, chaveando do estado condutor (1) para não-condutor (0) - eles atualmente fazem isto em velocidades muito altas, ao redor de alguns bilhões de vezes por segundo, ou seja, alguns gigahertz.
No terceiro grupo estão os dielétricos, ou isolantes, nos quais os elétrons são relativamente imóveis. Quando se tenta forçar a barra, aplicando correntes altas demais, elas são destruídos.
Processadores poderão alcançar velocidades de petahertz (PHz)
"Nosso trabalho demonstra como técnicas de fotônica estado-da-arte podem ajudar a explorar formas de avançar as fronteiras do processamento de informações." [Imagem: Christian Hackenberger/LMU]
Chaveamento dielétrico
Recentemente um grupo de pesquisadores construiu um transistor que evita a deterioração da sua camada isolante, o que o torna muito promissor:
Mas os pesquisadores alemães foram mais rápidos: eles descobriram que os materiais dielétricos transmitem bem uma corrente, sem se deteriorar, desde que a tensão ultraforte seja aplicada muito rapidamente.
Usando um pulso de laser visível ou infravermelho próximo, eles elevaram a tensão a mais de 10 bilhões de volts em poucos femtossegundos.
Com isso, o normalmente não-condutor dielétrico passa a condutor, e depois retorna a seu estado normal, com uma velocidade imbatível pela tecnologia atual de semicondutores.
Na prática, isso significa que os dielétricos podem ser vistos como um tipo especial de semicondutor, cuja bandgap é extremamente elevada.
Acelerando a eletrônica
"Nosso trabalho demonstra como técnicas de fotônica estado-da-arte podem ajudar a explorar formas de avançar as fronteiras do processamento de informações," disse Agustin Schiffrin, principal autor da descoberta.
"Esperamos que estes resultados tragam a motivação para outros grupos de todo o mundo juntarem-se a nós na exploração e no aproveitamento dos potenciais que os materiais [dielétricos] podem oferecer para acelerar a eletrônica," completou.
Bibliografia:

Optical-field-induced current in dielectrics
Agustin Schiffrin, Tim Paasch-Colberg, Nicholas Karpowicz, Vadym Apalkov, Daniel Gerster, Sascha Mühlbrandt, Michael Korbman, Joachim Reichert, Martin Schultze, Simon Holzner, Johannes V. Barth, Reinhard Kienberger, Ralph Ernstorfer, Vladislav S. Yakovlev, Mark I. Stockman, Ferenc Krausz
Nature
Vol.: Advanced Online Publication
DOI: 10.1038/nature11567

Controlling dielectrics with the electric field of light
Martin Schultze, Elisabeth M. Bothschafter, Annkatrin Sommer, Simon Holzner, Wolfgang Schweinberger, Markus Fiess, Michael Hofstetter, Reinhard Kienberger, Vadym Apalkov, Vladislav S. Yakovlev, Mark I. Stockman, Ferenc Krausz
Nature
Vol.: Advanced Online Publication
DOI: 10.1038/nature11720

segunda-feira, 10 de dezembro de 2012

Mushkin anuncia primeiro SSD de 480 GB para notebooks do mundo


Drive de estado sólido é o maior já visto até agora e deverá custar cerca de 500 dólares.

Mushkin anuncia primeiro SSD de 480 GB para notebooks do mundo(Fonte da imagem: Divulgação/Ashkin)
Até pouco tempo atrás, era impossível encontrar drives de armazenamento de estado sólido que ultrapassassem a marca dos 250 GB e que fossem destinados aos computadores portáteis. O motivo para isso é bem simples: eles não existiam. Mas agora, graças à empresa Mushkin, essa história vai mudar um pouco. A fabricante acabou de divulgar o lançamento do Atlas mSATA 480 GB, que chega quase à marca de meio Terabyte de capacidade.
Com a utilização dele, torna-se quase dispensável a combinação de discos rígidos — isso depende, é claro, de quais serão as finalidades dos sistemas, pois para algumas pessoas os 480 GB podem não ser suficientes. Trabalhando com conexões SATA III, os Atlas mSATA 480 GB da Mushkin podem transmitir dados em altíssimas velocidades, chegando aos 6 GB/s (velocidade teórica).
É claro que um equipamento como o Atlas mSATA 480 GB da Mushkin não chegará ao mercado com valores muito baixos. Ele deve chegar às lojas pelo preço de US$ 499 (R$ 1.057) e a fabricante está prometendo o lançamento comercial do produto já para o mês de janeiro de 2013. Ainda não há previsão para o lançamento do produto no mercado brasileiro.

Transistor 4D coloca processadores além do silício


Eletrônica

Redação do Site Inovação Tecnológica - 10/12/2012

Transistor 4D coloca processadores
Seção transversal do novo transístor 4D, que tem um formato similar ao de uma árvore de Natal.[Imagem: Jiangjiang Gu et al.]
Nova dimensão
Inventar um novo tipo de transístor com o formato de uma árvore de Natal parece bem adequado para esta época do ano.
Além do formato inusitado, o componente é o prenúncio de ummaterial com pretensões de superar o silício na próxima década.
Cada transístor é formado por três nanofios de um material chamado arseneto de gálio e índio (InGaAs), dispostos em uma forma que, externamente, lembra uma árvore de Natal.
Os transistores 3D, em contraposição aos transistores planos, têm várias vantagens em termos do potencial deminiaturização e de aumento da velocidade de operação dos circuitos eletrônicos.
Jiangjiang Gu (Universidade Purdue) e Xinwei Wang ( Universidade de Harvard) agora deram um passo além, acrescentando uma nova dimensão a esses transistores tridimensionais ao conectá-los verticalmente em paralelo.
"Uma casa de um piso pode acomodar muita gente, mas, quanto mais pisos, mais gente. Com os transistores é a mesma coisa," explica o Dr. Peide Ye, coordenador da equipe.
"Empilhar os transistores resulta em mais corrente e operação muito mais rápida. Isso adiciona uma dimensão totalmente nova, por isso nós os chamamos de transistores 4D," completou.
Processadores e nanômetros
Os processadores mais modernos, lançados neste ano, já incorporam transistores 3D.
Os transistores possuem seções, chamadas portas, que permitem que eles sejam ligados ou desligados. Quanto menores as portas, maior pode ser a velocidade de operação.
Nos transistores 3D atuais, essas portas têm dimensões na faixa dos 22 nanômetros.
O formato desses componentes é um elemento crítico porque portas nessas dimensões não funcionam bem na arquitetura plana.
Com a tecnologia 3D, os engenheiros já estão trabalhando em transistores com portas ainda menores: espera-se atingir os 14 nanômetros em 2015 e os 10 nanômetros em 2018.
Transistor 4D coloca processadores
Estrutura do transístor 4D, que dispensa o silício, semicondutor que perde a eficiência em dimensões abaixo dos 10 nanômetros. [Imagem: Jiangjiang Gu et al.]
Limites físicos
A grande fronteira está justamente nos 10 nanômetros.
Em dimensões abaixo destas não será mais uma questão de formato, mas de material, já que o silício perde a eficiência em dimensões abaixo dos 10 nanômetros, ao menos com as técnicas de fabricação atuais.
É por isso que os cientistas trabalham arduamente em busca de um novo material para fazer a camada dielétrica do transístor, responsável por fazê-lo ligar e desligar - em camadas muito finas, o silício deixa a corrente "vazar".
Usando o InGaAs, os pesquisadores conseguiram usar um novo tipo de dielétrico, uma camada de 4 nanômetros de espessura de aluminato de lantânio recoberta com uma camada ainda mais fina - 0,5 nanômetro - de óxido de alumínio.
O feito foi selecionado como um dos "Temas de Destaque" a serem apresentados durante o IEDM (International Electron Devices Meeting), que começou neste fim de semana em São Francisco, nos Estados Unidos.
Bibliografia:

III-V Gate-all-around Nanowire MOSFET Process Technology: From 3D to 4D
Jiangjiang Gu, Xinwei Wang, J. Shao, A. T. Neal, M. J. Manfra, R. G. Gordon, P. D. Ye
IEDM-2012 Proceedings

20-80nm Channel Length InGaAs Gate-all-around Nanowire MOSFETs with EOT=1.2nm and Lowest SS=63mV/dec
Jiangjiang Gu, Xinwei Wang, H. Wu, J. Shao, A. T. Neal, M. J. Manfra, R. G. Gordon, P. D. Ye
IEDM-2012 Proceedings